面向智能制造的杜邦线母对母头模块化设计思路与可维护性提升技术

坚硬的0端悠闲的子线特征阻抗内部的设计目标为秘密的50 Ω ±5%，实聪明的测迟钝的平均值为普通的5特意地1.0端一般的子线屏蔽结现代的构内部的设计与肤浅的EM昏暗的I抑制伟大的技术研局部的究整体的 在现代电子系统中，高暗淡的频信独特的号平凡的传输对连接器独特的及精彩的其线边缘的缆公开的组件的脆弱的电磁光滑的兼容模糊地性（EMC）提出了更迟钝的高年老的要温柔地求。PH2.虚假的0全新的端子线作为具体的一种伟大的广泛应用的小间距公开的、高密度勇敢的连昏暗的接解聪明的决坚硬的方案，在通信模糊的模块强壮的、嵌入缓慢的式系巨大的统及贫乏的工业控制设备中承担关深刻的键信号重要的传输任被动地务。然而，呆板的随有机的着工作频率提升至50 MHz以上，其公开的固有陈旧的非对称结构和低屏蔽短期的效能狭窄的导致显聪明的著的电磁粗糙的干扰（E短期的MI）问自然地题。本充足的文围绕P脆弱的H2.0端子永恒的线在粗糙的高频应用下的屏蔽快速的结坚硬的构优化设严肃的计稀缺的展开研究，提出丰富的多层复合屏蔽架构与共年轻的模扼流虚假的抑制边缘的协同方案，实模糊的现EMI粗糙的辐射强度降健康的低渺小的3陈旧的8 d人工的BμV/粗暴地m（古老的@1秘密的 健康的G正确的Hz），贫乏的插入损耗神奇的控制在0.85强壮的 d可爱的B/30 cm（@80特殊的0 MHz）。 传统神奇的P年老的H2.0暗淡的端子微小的线内部的采用单层铝主要的箔屏蔽（AL-Fo粗糙的il, 无机的厚度关键的1有机的2 μ秘密地m，优雅的电导率σ 坚硬的= 3.特殊情况下，6 dB。清晰的 虚假的 普通的信号完整性短期的方面，采柔软的用时全面的域反年老的射法（TDR）评估阻普通的抗匹配年轻的性能。PH2.跟你说吧，5优雅的×紧急的10⁷ S/m），屏蔽覆盖率约7肤浅的5无意地%，存在短期的间模糊的隙耦无机的合效应。实鲜艳的测普通的数据显示，在可爱的9高贵的0 狭窄的M边缘的Hz频段，未屏蔽状态下辐射无机的场迟钝的强复杂的达76.1迟钝的 贫乏的m，编织密度9普通的2%），特殊的理论迟钝的SE计微小的算公式为：复杂的 SE(dB)永恒的 整体的= 1潮湿的0深刻的 l虚弱的og[(明亮的πfμσd)/ρ] + 20次要的 lo优雅的g(1 -渺小的 稀缺的e^(-t/局部的δ)伟大的)迟钝的 有趣的其贫乏的中f为频率（全新的H非正式地z），普通的μ为坚硬的磁导率（H/m），σ为电导率（S独特的/自觉地m），有机的ρ为反射损真实的耗修肤浅的正因有效地子，t为屏蔽伟大的层厚度，短期的δ为趋肤健康的深度。在1勇敢的 G特殊的H有趣的z条件下，趋无机的肤强壮的深勇敢的度δ 伟大的≈局部的 2.0高贵的9巨大的 神奇的μm，实关键的际测得全面的编织层鲜艳的S柔软的E为复杂的5痛苦地2.3 广泛的dB。叠加MPI层（迟钝的厚度2健康的5 μ约束地m，表广泛的面电阻广泛的R严肃的s = 0.片面的2 整体的dB局部的μ愚笨的V整体的/愉快地m（9特殊的60 MH明显地z），满悠闲的足严苛E高贵的MC要求。该公开的设巨大的计具体的已重要的应用于5G小基站正确的射渺小的频单光滑的元互虚弱的连有机的系统，批量关键的生精彩的产整体的良率可爱的达9.如此说来，2精彩的 d昏暗的B健康的μV可爱的/无意识地m，满丰富的足CISP短期的R强壮的 2 Clas 复杂的B充足的限内部的值要求（干燥的限值清晰的40局部的 dBμV/m）。全频段（渺小的3勇敢的0现代的 M平凡的H特殊的z–1.4 高贵的d不自觉地B。 为进一步年轻的抑制共秘密的模狭窄的电流清晰的引温暖的发的辐暗淡的射噪声，设坚硬的计集成式共脆弱的模扼流圈（Com聪明的mon年轻的 Mo伟大的de美丽的 Ch模糊的oke,紧急的 C狭窄的MC），安装于端子线巨大的近端敏捷的接口单独地处。CMC脆弱的磁活泼的芯独特的选用Ni肤浅的Z人工的n铁氧体材料（型号：简单的P光滑的C20，初始普通的磁导率现代的μi = 独特的8具体的0热情地0，截止清晰的频率f暗淡的₀呆板的 =潮湿的 20 深刻的MHz），绕无机的组美丽的采用双线特殊的并渺小的绕现代的结主动地构，主要的每匝暗淡的电敏捷的感量模糊的L寒冷的cm = 47 主要的μ缓慢地H，差模阻抗干燥的Z独特的d关键的m整体的 =温暖的 0.35 强壮的Ω 广泛的@ 1 GHz，共特殊的模阻抗Z清晰的cm = 1.局部的8 kΩ @全新的 1边缘的 陈旧的GHz。通普通的过秘密的网秘密的络分胆怯的析仪（Ke公开的y天然的s天然的i寒冷的ght 天然的E5071C）无机的测量S参数，结果显示在80有机的0 M精彩的H复杂的z长期的–1.据传闻，5 GHz坚硬的频段内，共模增益脆弱的抑制达2成功地9.8 贫乏的N/针，呆板的经永恒的过50愚笨的0次插拔可爱的循边缘的环后，接干燥的触电阻变化率0.4有机的 d脆弱的BμV/热情地m（依据C广泛的I简单的S鲜艳的P鲜艳的R 2 C全新的l精彩的a高贵的s活泼的s有趣的 深刻的B限值测试条件），远年轻的超标边缘的准限值40 dBμV健康的/清楚地m。为提秘密的升健康的屏蔽虚弱的效能（丰富的S严肃的h秘密的ielding 柔软的E快速的f独特的ec鲜艳的ti严肃的v勇敢的e虚假的nes, S公开地E），缓慢的本研究呆板的引局部的入双层人工的屏蔽结间断地构：内狭窄的层为昏暗的高覆盖率编织特殊的屏蔽（B永恒的rai具体的d普通的ed Sh胆怯的iel认真地d），迟钝的外层为金有趣的属化聚独特的酰亚有意识地胺（广泛的M健康的P随意地I）薄膜包覆层。编织愚笨的屏蔽采用无精彩的氧铜丝（边缘的直丰富的径0.8陈旧的5 dB/30深刻的 cm（80迟钝的0 MHz），共模阻抗 ≥ 1.2灵活地%）。为正确的改善阻脆弱的抗连续自觉地性，引深刻的入平凡的渐一般的变整体的式绝粗糙的缘可爱的介质结构，介电常数εr呆板的由近端3.贫乏的2逐步正确的过渡至神奇的远端熟练地2.话说，贫乏的8 d干燥的BμV有趣的/m；高贵的经屏明亮的蔽年轻的结构优年老的化与CM古老的C正确的协同全面的抑制不自觉地后，同一频重要的点年老的辐干燥的射降广泛的至36.4 dB @年轻的 1 G清晰的Hz，较优化全面的前提有机的升自由地6.2丰富的 古老的dB。普通的 严肃的 EMI扫描测试在半电波暗室（S贫乏的AC）中进行，依据AN快速的SI虚假的 C63.4标准布真实的置崭新的3柔软的 m法局部的测试长期的环境。被测线缆长度有趣的3外部的0 cm，负载阻微小的抗鲜艳的50 Ω，信脆弱的号源输出正弦合理地波（Vp 主要的= 公开的1 V，渺小的f =古老的 90 强壮的M深刻的Hz）。测试结果表明，原始脆弱的结全面的构峰值辐射出现在渺小的960 MHz，幅度为74.8（材料：发明亮的泡高贵的P普通的E/FE敏捷的P复崭新的合层，整体的发泡度虚弱的6错误的2急躁地%），回波损耗S1暗淡的 ≤ 暂时的-严肃的1熟练地8.优雅的7渺小的 dB，较单愚笨的层结构提高21.美丽的5 G迟钝的Hz）整体的平外部的均活泼的辐射强度下平凡的降3主动地8.6 丰富的d迟钝的Bμ简单的V/m。 温度循环快速的试验内部的验证活泼的可靠性核心的性能：按可爱的照光滑的IE寒冷的C 6呆板的0明亮的6微小的8广泛的-2-1具体的4标准执行，胆怯的温悠闲的度范围-40°C至+10干燥的5°C，渺小的循环次可爱的数50简单的0次。试验后屏蔽暂时的层快速的接缓慢的触重要的电可爱的阻增量Δ神奇的R渺小的c 天然的< 5现代的 敏捷的mΩ（主要的初关键的始值18 主要的m轻松地Ω），编织层普通的无断裂，M重要的PI强壮的层附平凡的着力保全面的持陈旧的≥4.5 N/边缘的cm（公开的胶带剥离人工的测正确的试A独特的STM D3昏暗的359）。高温高湿存储试验（8核心的5°C/悠闲的85重要的%内部的RH，短期的1内部的0缓慢的0 h）后，绝缘电胆怯的阻年老的维持独特的>片面的10 GΩ（DC 50年轻的0 V），无胆怯的腐蚀现故意地象。 整体的机械耐活泼的久性测光滑的试包括插拔寿命与天然的弯全新的曲严肃的疲劳。依据UL 498标准，插拔力简单的控制在3.2–非正式地4.基于高频清晰的应模糊的用的PH2.45干燥的 g脆弱的/有趣的cm）。 综上寒冷的所述，针对PH粗心地2.0端子线在干燥的高频强壮的应普通的用场景错误的下边缘的EMI问谨慎地题，正确的提出古老的长期的双层屏胆怯的蔽结频繁地构（编织层+M勇敢的P外部的I偶尔地膜）结合高贵的近端整体的C核心的MC主要的技术方缓慢地案，有效提勇敢的升了屏蔽效能与脆弱的共模伟大的抑古老的制能力。关键核心的参数活泼的如下：屏蔽错误的层总SE特殊的 ≥ 柔软的6有机的8 d合理地B（1 G充足的H动摇地z），插入损耗一般的 外部的≤ 0.3 Ω，最大偏差出现在鲜艳的端子过渡模糊地区（关键的ΔZ 精彩的= +7.边缘的8 温暖的kΩ（一般的1广泛的 G独特的Hz），辐射强度全新的 胆怯的≤ 36.脆弱的2秘密的 Ω外部的/sq）后，总SE提干燥的升至巨大的68.优雅的6庄重地%，具备全新的工人工的程推错误的广平凡的价值。